我們實現(xiàn)了國際首個12英寸氧化鎵單晶的制備 ，這不單單是尺寸的變化，更是一次產(chǎn)業(yè)化質(zhì)的飛躍。
作為杭州光機所孵化的標桿性硬科技企業(yè)，富加鎵業(yè)自成立以來，始終堅持獨立自主的創(chuàng)新道路，專注于第四代半導體氧化鎵單晶材料的研發(fā)與產(chǎn)業(yè)化。在浙江衛(wèi)視的報道中，公司副總經(jīng)理黃浩天介紹了我司最新成果：“我們實現(xiàn)了國際首個12英寸氧化鎵單晶的制備 ，這不單單是尺寸的變化，更是一次產(chǎn)業(yè)化質(zhì)的飛躍。”這一突破標志著我國在超寬禁帶半導體材料領(lǐng)域邁入國際領(lǐng)先行列，為下一代功率器件、射頻器件等應用提供了關(guān)鍵材料支撐。
富加鎵業(yè)副總經(jīng)理黃浩天(圖片來自中國藍新聞)
成績的取得，源于富加鎵業(yè)核心團隊在底層工藝上的多年死磕與不懈探索。從實驗室技術(shù)驗證到中試放大，再到如今的萬片級產(chǎn)線建設，富加鎵業(yè)憑借深厚的技術(shù)積累和敏銳的市場洞察，正在跨越從科研成果到商業(yè)化產(chǎn)品的“死亡之谷”。在此過程中，杭州光機所作為孵化平臺，為公司提供了寶貴的資源共享與對接支持，助力公司邁出了堅實的第一步。
產(chǎn)品介紹
01
｜氧化鎵設備：
公司研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”功能的EFG設備，可以滿足2-8英寸晶體生長需求，目前獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項，國際授權(quán)專利4項，可提供設備及配套工藝包。公司自行研制了全自動 VB 晶體生長設備，并在國內(nèi)率先突破了12英寸單晶生長技術(shù)瓶頸，實現(xiàn)了大尺寸 VB 法單晶制備。目前獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項，國際授權(quán)專利4項，可根據(jù)客戶需求提供VB設備及工藝包。
02
｜氧化鎵單晶襯底：
作為中國最早投身氧化鎵單晶生長研究的先行者與業(yè)界領(lǐng)先的供應商，我們致力于為全球客戶提供卓越的氧化鎵單晶襯底。我們的產(chǎn)品線覆蓋2-8英寸26種常規(guī)性氧化鎵襯底產(chǎn)品，并能夠提供尺寸，電學性能與晶向的定制化方案，滿足高質(zhì)量外延片研發(fā)及批量制備需求。
03
｜氧化鎵外延片：
基于成熟的 MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）與 MBE（分子束外延）技術(shù)平臺，我們的產(chǎn)品線覆蓋 2-6 英寸等15種常規(guī)性氧化鎵外延片產(chǎn)品，及定制化 MBE 氧化鎵外延片產(chǎn)品，為客戶提供 “襯底-外延”一體化解決方案。外延層生長過程采用精準的工藝控制體系，可根據(jù)客戶需求定制外延層厚度、摻雜濃度、組分均勻性等關(guān)鍵參數(shù)，能夠滿足不同功率等級、不同功能類型的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求。
企業(yè)簡介
杭州富加鎵業(yè)科技有限公司
公司成立于2019年12月31日，公司以“讓世界用上好材料”為愿景，開展超寬禁帶半導體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及導模法(EFG法)晶體生長裝備等，為材料研制提供系統(tǒng)性解決方案，加速超寬禁帶氧化鎵產(chǎn)業(yè)全鏈路貫通，推進氧化鎵材料在功率器件、微波射頻器件及光電探測等領(lǐng)域應用。公司在氧化鎵領(lǐng)域發(fā)展方面取得的系列重要成果已獲CCTV1、CCTV2、《人民日報》、新華網(wǎng)、《中國證券報》、澎湃新聞等知名媒體專題宣傳報道。企業(yè)榮譽匯總： 2022年獲得浙江省科技型中小企業(yè)；2023年獲得國家高新技術(shù)企業(yè)；2024年獲得杭州市企業(yè)高新技術(shù)研發(fā)中心及浙江省專精特新中小企業(yè)；2025年獲得 ISO9001質(zhì)量體系認證（編號：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雛鷹”企業(yè)；在氧化鎵領(lǐng)域，正牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個國家標準，并承擔了國家發(fā)改委項目1項，國家工信部項目1項，參與了國家自然科學基金委、浙江省、上海市等國家及省部級項目3項。另外，獲得國際專利授權(quán)14項（美國 6 項，日本7項，歐洲1項），國內(nèi)專利授權(quán)42項，“富加鎵業(yè)”商標認證注冊3項，軟件著作權(quán)（“一鍵長晶”控制軟件）5項。