9000V！這是一個(gè)將氧化鎵功率器件帶入“萬(wàn)伏級(jí)”時(shí)代的重大突破。
2026年3月31日，九峰山實(shí)驗(yàn)室傳來(lái)振奮人心的捷報(bào)：其團(tuán)隊(duì)成功研制出擊穿電壓超過(guò)9000V（實(shí)測(cè)9.02 kV）的氧化鎵橫向MOSFET【突破9000V！九峰山實(shí)驗(yàn)室刷新氧化鎵MOSFET耐壓紀(jì)錄】。在多數(shù)公開(kāi)報(bào)道還停留在4000V以下的今天，這一成果以"翻倍式"的跨越，一舉刷新了氧化鎵耐壓世界紀(jì)錄，標(biāo)志著我國(guó)在超高壓氧化鎵功率器件技術(shù)領(lǐng)域正式邁入國(guó)際先進(jìn)行列。
器件結(jié)構(gòu)圖
作為第四代半導(dǎo)體賽道的同行者，同時(shí)也是該MOSFET核心材料氧化鎵同質(zhì)外延片的提供者，富加鎵業(yè)向九峰山實(shí)驗(yàn)室致以最熱烈的祝賀！
底層賦能：一塊"國(guó)產(chǎn)同質(zhì)外延片"的硬核底氣 在九峰山實(shí)驗(yàn)室官方發(fā)布的報(bào)道中，特別提到這一歷史性突破的關(guān)鍵之一，在于采用了"國(guó)產(chǎn)同質(zhì)外延片"。該國(guó)產(chǎn)同質(zhì)外延片，正是由富加鎵業(yè)自主研發(fā)生產(chǎn)的高品質(zhì)氧化鎵同質(zhì)外延片。 "好器件，離不開(kāi)好材料。"氧化鎵外延層的晶體質(zhì)量、缺陷密度和摻雜控制，直接決定了最終功率器件的性能天花板。九峰山實(shí)驗(yàn)室能夠?qū)⒛蛪簭男袠I(yè)普遍的4000V以下一舉推高至9000V，不僅彰顯了其卓越的器件設(shè)計(jì)能力，也印證了高品質(zhì)材料在其中的關(guān)鍵基石作用。 這也并非富加外延片首次獲得頂尖驗(yàn)證。此前，基于富加鎵業(yè)外延片制備的垂直型功率肖特基二極管，其功率品質(zhì)因子（PFOM）達(dá)到 3.07 GW/cm2，為當(dāng)時(shí)國(guó)際公開(kāi)發(fā)表成果中的最高值。此次助力突破9000V大關(guān)，再次印證了富加外延片在超高壓電力電子領(lǐng)域的巨大應(yīng)用潛力。 攜手共贏：做全行業(yè)最可靠的"基石" 從2025年12月突破8英寸，到2026年3月國(guó)際首次成功制備12英寸氧化鎵單晶，富加鎵業(yè)始終在引領(lǐng)第四代半導(dǎo)體材料的尺寸革命。 作為國(guó)內(nèi)率先實(shí)現(xiàn)"大尺寸高質(zhì)量襯底+高性能外延（MOCVD/MBE）+器件設(shè)計(jì)驗(yàn)證"垂直一體化整合的企業(yè)，富加鎵業(yè)能夠?qū)崿F(xiàn)從襯底到外延再到器件的內(nèi)部快速協(xié)同與閉環(huán)迭代，從源頭把控材料質(zhì)量，為下游客戶(hù)提供一致性更高、成本更優(yōu)的整體解決方案。 "一枝獨(dú)秀不是春，百花齊放春滿園。"九峰山實(shí)驗(yàn)室在器件端的重大突破，讓我們看到了中國(guó)氧化鎵產(chǎn)業(yè)從"材料端"到"應(yīng)用端"全鏈條崛起的強(qiáng)大勢(shì)能。 富加鎵業(yè)將始終堅(jiān)持開(kāi)放合作，致力于做全行業(yè)堅(jiān)實(shí)可靠的"基石"。熱忱歡迎全球功率器件廠商、科研院所及產(chǎn)業(yè)鏈上下游伙伴與我們聯(lián)系，共同探索第四代半導(dǎo)體的無(wú)限可能，攜手推動(dòng)萬(wàn)億級(jí)市場(chǎng)的產(chǎn)業(yè)化落地！ 產(chǎn)品介紹 Fujia Gallium 氧化鎵設(shè)備： 公司研制了國(guó)際上首臺(tái)具備“一鍵長(zhǎng)晶”功能的EFG設(shè)備，可以滿足2-8英寸晶體生長(zhǎng)需求，目前獲得國(guó)內(nèi)授權(quán)專(zhuān)利6項(xiàng)，國(guó)際授權(quán)專(zhuān)利4項(xiàng)，可提供設(shè)備及配套工藝包。公司自行研制了全自動(dòng) VB 晶體生長(zhǎng)設(shè)備，并在國(guó)內(nèi)率先突破了12英寸單晶生長(zhǎng)技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸 VB 法單晶制備。目前獲得國(guó)內(nèi)授權(quán)專(zhuān)利6項(xiàng)，國(guó)際授權(quán)專(zhuān)利4項(xiàng)，可根據(jù)客戶(hù)需求提供VB設(shè)備及工藝包。 氧化鎵單晶襯底： 作為中國(guó)最早投身氧化鎵單晶生長(zhǎng)研究的先行者與業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，我們致力于為全球客戶(hù)提供卓越的氧化鎵單晶襯底。我們的產(chǎn)品線覆蓋2-8英寸26種常規(guī)性氧化鎵襯底產(chǎn)品，并能夠提供尺寸，電學(xué)性能與晶向的定制化方案，滿足高質(zhì)量外延片研發(fā)及批量制備需求。 氧化鎵外延片： 基于成熟的 MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）與 MBE（分子束外延）技術(shù)平臺(tái)，我們的產(chǎn)品線覆蓋 2-6 英寸等15種常規(guī)性氧化鎵外延片產(chǎn)品，及定制化 MBE 氧化鎵外延片產(chǎn)品，為客戶(hù)提供 “襯底-外延”一體化解決方案。外延層生長(zhǎng)過(guò)程采用精準(zhǔn)的工藝控制體系，可根據(jù)客戶(hù)需求定制外延層厚度、摻雜濃度、組分均勻性等關(guān)鍵參數(shù)，能夠滿足不同功率等級(jí)、不同功能類(lèi)型的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求。 企業(yè)簡(jiǎn)介 杭州富加鎵業(yè)科技有限公司 公司成立于2019年12月31日，公司以“讓世界用上好材料”為愿景，開(kāi)展超寬禁帶半導(dǎo)體氧化鎵材料的產(chǎn)業(yè)化工作，核心產(chǎn)品為氧化鎵單晶襯底、MOCVD/MBE 外延片、布里奇曼法（VB法）及導(dǎo)模法(EFG法)晶體生長(zhǎng)裝備等，為材料研制提供系統(tǒng)性解決方案，加速超寬禁帶氧化鎵產(chǎn)業(yè)全鏈路貫通，推進(jìn)氧化鎵材料在功率器件、微波射頻器件及光電探測(cè)等領(lǐng)域應(yīng)用。公司在氧化鎵領(lǐng)域發(fā)展方面取得的系列重要成果已獲CCTV1、CCTV2、《人民日?qǐng)?bào)》、新華網(wǎng)、《中國(guó)證券報(bào)》、澎湃新聞等知名媒體專(zhuān)題宣傳報(bào)道。企業(yè)榮譽(yù)匯總： 2022年獲得浙江省科技型中小企業(yè)；2023年獲得國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)；2024年獲得杭州市企業(yè)高新技術(shù)研發(fā)中心及浙江省專(zhuān)精特新中小企業(yè)；2025年獲得 ISO9001質(zhì)量體系認(rèn)證（編號(hào)：20225Q20294R0M）；2024年度杭州市“新雛鷹”企業(yè)；在氧化鎵領(lǐng)域，正牽頭起草氧化鎵領(lǐng)域首個(gè)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，并承擔(dān)了國(guó)家發(fā)改委項(xiàng)目1項(xiàng)，國(guó)家工信部項(xiàng)目1項(xiàng)，參與了國(guó)家自然科學(xué)基金委、浙江省、上海市等國(guó)家及省部級(jí)項(xiàng)目3項(xiàng)。另外，獲得國(guó)際專(zhuān)利授權(quán)14項(xiàng)（美國(guó) 6 項(xiàng)，日本7項(xiàng)，歐洲1項(xiàng)），國(guó)內(nèi)專(zhuān)利授權(quán)42項(xiàng)，“富加鎵業(yè)”商標(biāo)認(rèn)證注冊(cè)3項(xiàng)，軟件著作權(quán)（“一鍵長(zhǎng)晶”控制軟件）5項(xiàng)。