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2026年4月23日，由民建浙江省委會(huì)、浙江省商會(huì)、中國(guó)投資發(fā)展促進(jìn)會(huì)主辦的第十屆萬(wàn)物生長(zhǎng)大會(huì)在杭州順利舉辦。會(huì)上，杭州市創(chuàng)業(yè)投資協(xié)會(huì)聯(lián)合微鏈、杭州銀行正式發(fā)布了《2026杭州獨(dú)角獸與準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)榜單》。憑借在第四代半導(dǎo)體氧化鎵材料領(lǐng)域的突破性創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)化成果，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“富加鎵業(yè)”）成功入選該榜單，榮獲新能源新材料領(lǐng)域“準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)”稱(chēng)號(hào)。同時(shí)，富加鎵業(yè)還被評(píng)為“專(zhuān)精特新”準(zhǔn)獨(dú)角獸企業(yè)，彰顯了公司在專(zhuān)業(yè)化、精細(xì)化、特色化、新穎化發(fā)展方面的卓越實(shí)力。
Homoepitaxial growth of Si-doped β-Ga2O3 films on semi-insulating (100) β-Ga2O3 substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) is studied in this work. By appropriately optimizing the growth conditions, an increasing diffusio ...
