利用導(dǎo)模法(EFG)生長的12mm厚半絕緣型及導(dǎo)電型Ga2O3單晶晶錠(100/001)
關(guān)鍵指標(biāo)
1.晶錠尺寸:50mm×80mm×12mm
2.晶面偏差:<±1°