利用導(dǎo)模法(EFG)生長(zhǎng)的12mm厚半絕緣型及導(dǎo)電型Ga2O3單晶晶錠
關(guān)鍵指標(biāo)
1.晶錠尺寸:110mm×105mm×12mm
2.晶面偏差:<±1°