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氧化鎵晶錠

6英寸氧化鎵晶錠

利用導模法（EFG）生長的8mm厚半絕緣型及導電型Ga₂O₃單晶晶錠

關鍵指標

1.晶錠尺寸：直徑≥150mm

2.晶面偏差:<±1°