“氧化鎵單晶材料缺陷研究專題研討會(huì)”在浙江杭州成功召開，富加鎵業(yè)科技有限公司聯(lián)合承辦！

 2026年4月11日-12日，由中國有色金屬學(xué)會(huì)寬禁帶半導(dǎo)體專業(yè)委員會(huì)（簡稱專委會(huì)）主辦，杭州富加鎵業(yè)科技有限公司、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司聯(lián)合承辦的“氧化鎵單晶材料缺陷研究專題研討會(huì)”在浙江杭州成功舉行。中國有色金屬學(xué)會(huì)副理事長兼秘書長高煥芝，專委會(huì)顧問委員、第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲，專委會(huì)主任委員、北京大學(xué)教授沈波，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所副所長邵宇川，中國有色金屬學(xué)會(huì)副秘書長李芳，專委會(huì)副主任委員兼秘書長、廣東省科學(xué)院教授級高級工程師陳志濤，專委會(huì)委員、研討會(huì)會(huì)議主席齊紅基研究員、張輝教授，專委會(huì)委員葉建東教授、唐寧教授、劉雯教授、梁紅偉教授、鄭晨焱技術(shù)總監(jiān)、黃森研究員、周弘教授，專委會(huì)副秘書長趙維等來自全國高校、科研院所及產(chǎn)業(yè)界的50余位專家學(xué)者受邀參會(huì)研討。

研討會(huì)開幕式由教授級高級工程師陳志濤主持。會(huì)議主席、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司董事長齊紅基研究員介紹了會(huì)議籌備背景及組織情況。高煥芝副理事長在致辭中高度肯定了系列專題研討會(huì)的定位和成效，強(qiáng)調(diào)專題研討會(huì)對攻克核心科學(xué)問題、推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同創(chuàng)新具有重要意義。邵宇川副所長在致辭中指出，氧化鎵的缺陷問題是制約材料品質(zhì)提升與器件產(chǎn)業(yè)化的關(guān)鍵瓶頸，希望本次會(huì)議有助于打通材料-器件-應(yīng)用的技術(shù)鏈條。沈波教授在致辭中指出了高品質(zhì)寬禁帶半導(dǎo)體材料發(fā)展的重要性和必要性，期望通過本次研討會(huì)進(jìn)行產(chǎn)、學(xué)、研的交流與研討，加快推進(jìn)我國氧化鎵材料技術(shù)進(jìn)步和產(chǎn)業(yè)發(fā)展。

會(huì)議設(shè)置專題報(bào)告與研討交流兩大環(huán)節(jié)。報(bào)告環(huán)節(jié)于11日下午舉行，先后由齊紅基研究員和張輝教授主持，浙江大學(xué)馬向陽教授、北京大學(xué)楊學(xué)林教授、山東大學(xué)胡小波教授、杭州鎵仁半導(dǎo)體有限公司張輝教授、山東大學(xué)穆文祥教授、杭州富加鎵業(yè)科技有限公司賽青林研究員、寧波東方理工大學(xué)魏蘇淮教授、廈門大學(xué)張洪良教授、中國電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所程紅娟正高級工程師、南京大學(xué)葉建東教授、西安電子科技大學(xué)周弘教授、中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)徐光偉教授等12位專家學(xué)者，圍繞氮化鎵缺陷、單晶硅雜質(zhì)缺陷、SiC單晶結(jié)構(gòu)缺陷、氧化鎵單晶缺陷研究、氧化鎵外延薄膜缺陷、氧化鎵功率器件進(jìn)展及缺陷問題等作專題報(bào)告，系統(tǒng)分享了氧化鎵材料的缺陷表征、機(jī)理分析、調(diào)控技術(shù)與器件應(yīng)用的最新進(jìn)展以及存在的問題和相關(guān)思考。

專題研討環(huán)節(jié)于12日上午舉行，先后由南京大學(xué)葉建東教授、華潤微電子鄭晨焱技術(shù)總監(jiān)、沈波教授主持，與會(huì)專家圍繞氧化鎵外延p型摻雜調(diào)控策略與技術(shù)進(jìn)展、氧化鎵材料缺陷分類及其對器件性能與可靠性的影響機(jī)制、支持氧化鎵材料和器件研究的國家科技計(jì)劃政策建議三大核心議題展開深入討論，現(xiàn)場研討氣氛熱烈，為氧化鎵單晶材料缺陷研究與技術(shù)突破提供了建設(shè)性思路與發(fā)展方向。

      在會(huì)議總結(jié)環(huán)節(jié)，沈波教授充分肯定了本次研討會(huì)效果，指出在進(jìn)一步深入開展氧化鎵缺陷研究的同時(shí)，要進(jìn)一步與應(yīng)用牽引結(jié)合起來，以推動(dòng)氧化鎵技術(shù)更好服務(wù)國家戰(zhàn)略。吳玲理事長對本次研討會(huì)給予了充分肯定的同時(shí)，認(rèn)為聚焦細(xì)分領(lǐng)域進(jìn)行深度交流研討正當(dāng)其時(shí)、恰逢其勢，對系列專題研討會(huì)的定位、組織和成效給與高度評價(jià)，同時(shí)鼓勵(lì)大家要進(jìn)一步增強(qiáng)在國際技術(shù)競爭中鍛長板的雄心和信心。

  氧化鎵設(shè)備：

公司研制了國際上首臺具備“一鍵長晶”功能的EFG設(shè)備，可以滿足2-6英寸晶體生長需求，目前獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項(xiàng)，國際授權(quán)專利4項(xiàng)，可提供設(shè)備及配套工藝包。公司自行研制了全自動(dòng) VB 晶體生長設(shè)備，并在國內(nèi)率先突破了6英寸單晶生長技術(shù)瓶頸，實(shí)現(xiàn)了大尺寸 VB 法單晶制備。目前獲得國內(nèi)授權(quán)專利6項(xiàng)，國際授權(quán)專利4項(xiàng)，可根據(jù)客戶需求提供VB設(shè)備及工藝包。

  氧化鎵單晶襯底：

作為中國最早投身氧化鎵單晶生長研究的先行者與業(yè)界領(lǐng)先的供應(yīng)商，我們致力于為全球客戶提供卓越的氧化鎵單晶襯底。我們的產(chǎn)品線覆蓋2-6英寸26種常規(guī)性氧化鎵襯底產(chǎn)品，并能夠提供尺寸，電學(xué)性能與晶向的定制化方案，滿足高質(zhì)量外延片研發(fā)及批量制備需求。

   氧化鎵外延片：

基于成熟的 MOCVD（金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積）與 MBE（分子束外延）技術(shù)平臺，我們的產(chǎn)品線覆蓋 2-6 英寸等15種常規(guī)性氧化鎵外延片產(chǎn)品，及定制化 MBE 氧化鎵外延片產(chǎn)品，為客戶提供 “襯底-外延”一體化解決方案。外延層生長過程采用精準(zhǔn)的工藝控制體系，可根據(jù)客戶需求定制外延層厚度、摻雜濃度、組分均勻性等關(guān)鍵參數(shù)，能夠滿足不同功率等級、不同功能類型的器件研發(fā)與生產(chǎn)需求。