氧化鎵產(chǎn)業(yè)發(fā)展，跑出“富加速度”
從零起步，到世界領(lǐng)先——富加鎵業(yè)用不到七年時(shí)間，書(shū)寫(xiě)了中國(guó)氧化鎵產(chǎn)業(yè)的崛起傳奇。
2019年
——富加鎵業(yè)成立，目標(biāo)清晰而堅(jiān)定：打通氧化鎵全產(chǎn)業(yè)鏈，推動(dòng)其在功率器件、微波射頻、光電探測(cè)等領(lǐng)域規(guī)?；瘧?yīng)用。
2021年
——率先布局人工智能輔助單晶生長(zhǎng)研究，搶占國(guó)際專(zhuān)利高地，已獲美國(guó)、日本及歐盟授權(quán)國(guó)際專(zhuān)利14項(xiàng)。
2022年
——同時(shí)布局MOCVD與MBE外延技術(shù)，成為國(guó)內(nèi)唯一能提供MBE外延片產(chǎn)品的單位；同年，“一鍵長(zhǎng)晶”技術(shù)及裝備取得突破，2024年登上CCTV1，為產(chǎn)業(yè)落地打下堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
2023
——率先引入坩堝下降法（VB法）生長(zhǎng)氧化鎵單晶，將技術(shù)路線從單一導(dǎo)模法拓展至雙法并行。
2024年
——率先生長(zhǎng)出國(guó)內(nèi)第一顆導(dǎo)模法（EFG）6英寸導(dǎo)電型單晶；連續(xù)實(shí)現(xiàn)VB法3英寸、4英寸氧化鎵單晶生長(zhǎng)突破——均為國(guó)內(nèi)首次；開(kāi)工建設(shè)國(guó)內(nèi)首條年產(chǎn)10000片6/8英寸氧化鎵單晶及外延產(chǎn)線。
2025年
——國(guó)際上最大的VB法6英寸、8英寸氧化鎵單晶相繼出爐；MOCVD同質(zhì)外延技術(shù)取得重大突破，制備出厚度超10μm的外延片，遷移率達(dá)181.6 cm2/V·s，國(guó)際領(lǐng)先；牽頭起草首個(gè)氧化鎵領(lǐng)域國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)《氧化鎵單晶拋光片》。
2026年
——全球第一顆12英寸氧化鎵單晶橫空出世；國(guó)內(nèi)首次聯(lián)合下游用戶(hù)推出芯片級(jí)封裝測(cè)試的氧化鎵二極管器件；自主研發(fā)的同質(zhì)外延片助力九峰山實(shí)驗(yàn)室研制出擊穿電壓超9000V的氧化鎵橫向MOSFET器件，刷新世界紀(jì)錄！
追求永無(wú)止境，“讓世界用上好材料”——富加鎵業(yè)，正在用一次次突破，回應(yīng)這個(gè)時(shí)代最深切的呼喚。
