富加鎵業(yè)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱富加鎵業(yè)）在垂直布里奇曼（VB）法氧化鎵晶體生長(zhǎng)領(lǐng)域取得重大突破，經(jīng)測(cè)試單晶質(zhì)量達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平，現(xiàn)同步向市場(chǎng)推出晶體生長(zhǎng)設(shè)備及工藝包。

在高精度的熱場(chǎng)仿真技術(shù)強(qiáng)力支持下，公司早先于2024年12月成功實(shí)現(xiàn)了4英寸VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)，并不斷進(jìn)行工藝及裝備升級(jí)，同時(shí)開(kāi)展超光滑加工及表征測(cè)試。測(cè)試結(jié)果表明，使用富加鎵業(yè)設(shè)備生長(zhǎng)出的4英寸VB晶體內(nèi)無(wú)孿晶，單晶襯底XRD半高全寬（FWHM）優(yōu)于50 arcsec，與導(dǎo)模法制備的氧化鎵單晶襯底質(zhì)量相當(dāng)，性能達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平；襯底表面粗糙度（Ra）小于0.2 nm，彎曲度（Bow）達(dá)到1.8 μm，翹曲度（warp）達(dá)到9.3μm，總厚度偏差（TTV）<10.0 μm，相關(guān)加工指標(biāo)達(dá)到4英寸碳化硅襯底產(chǎn)品要求。

圖1 4英寸VB法氧化鎵襯底

圖2 4英寸VB法氧化鎵襯底XRD數(shù)據(jù)

圖3 4英寸VB法氧化鎵襯底粗糙度

富加鎵業(yè)進(jìn)行了多輪次2-4英寸VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)，不斷升級(jí)裝備性能，驗(yàn)證生長(zhǎng)裝備穩(wěn)定性。VB 法裝備的成功研制，不僅標(biāo)志著公司在技術(shù)創(chuàng)新上取得了重大突破，更有力地印證了公司堅(jiān)持 “工藝與裝備雙輪驅(qū)動(dòng)” 發(fā)展戰(zhàn)略的前瞻性與正確性，是公司于2024年5月在國(guó)際上率先突破導(dǎo)模法“一鍵長(zhǎng)晶”技術(shù)后又一里程碑事件（新聞鏈接）。公司現(xiàn)正式推出擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)設(shè)備及配套生長(zhǎng)工藝包，加速氧化鎵領(lǐng)域產(chǎn)業(yè)生態(tài)構(gòu)建，推動(dòng)氧化鎵半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展。

 圖4 VB法氧化鎵晶體生長(zhǎng)裝備

未來(lái)，富加鎵業(yè)將繼續(xù)秉持創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展和繁榮氧化鎵行業(yè)的理念，不斷提升裝備及工藝技術(shù)水平，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)更多的力量。