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氧化鎵襯底

VB襯底

利用垂直布里奇曼法（VB）生長的4英寸單晶晶圓（100）

關鍵指標

1.雙晶搖擺半高寬:≤350"

2.晶面偏差:<±1°

3.粗糙度:Ra≤1nm